Toshiba создаёт первую в мире 48-слойную флеш-память BiCS FLASH объёмом 256 Гбит

Компания Toshiba Corporation представила сегодня новое поколение флеш-памяти с трёхмерной (3D) многослойной структурой ячеек BiCS FLASH^ТМ. Новинка стала первым в мире[ 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS и использует ведущую в отрасли технологию трехуровневых ячеек (TLC) с тремя битами в каждой ячейке. Поставки ознакомительных образцов начнутся в сентябре.

Устройства BiCS FLASH выпускаются на основе самого современного многослойного технологического процесса с 48 слоями, который обеспечивает превосходство в емкости по сравнению с традиционной двумерной флеш-памятью NAND, а также позволяет увеличить количество циклов записи/стирания и повысить скорость записи. Новое устройство емкостью 256 Гбит подходит для различных сфер применения, в том числе для бытовых SSD-дисков, смартфонов, планшетных ПК и карт памяти, а также для корпоративных SSD-дисков, используемых в центрах обработки данных.

После представления прототипа технологии BiCS FLASH в июне 2007 г. компания Toshiba продолжила разработки в целях оптимизации для серийного производства. Для удовлетворения растущего спроса на рынке флеш-памяти в 2016 году и с учетом долгосрочной перспективы компания Toshiba активно стимулирует переход на технологии BiCS FLASH, создавая ассортимент изделий для применения в устройствах большой емкости, таких как SSD-диски.

Компания Toshiba много лет занимается разработкой и производством флеш-памяти, и в настоящее время готовится к запуску серийного производства устройств BiCS FLASH на новом производственном предприятии Fab2 в промышленной зоне Йоккаити, где в настоящее время размещено производство флеш-памяти NAND. Предприятие Fab2 начнёт работу в первой половине 2016 г.

www.toshiba.semicon-storage.com  и  www.toshiba.co.jp