Научные идей – ветры, надувающие паруса корабля; ветер, правда, иногда топит корабль, но без него корабль не мог бы плыть.
Mitsubishi Electric начнет пробный выпуск GaN-HEMT-транзисторов с выходной мощностью 220 Вт для базовых приёмопередающих станций
06.09.2016 19:49
Корпорация Mitsubishi Electric объявила о создании нитрид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов (GaN-HEMT) и выходной мощностью 220 Вт, который сможет обеспечить самый высокий в мире КПД базовых приемопередающих станций (БППС), применяемых в системах мобильной связи четвертого поколения (4G) и работающих на частоте 2,6 ГГц. Пробный выпуск транзисторов начнется с 1 ноября 2016 года.
В высокоскоростных системах мобильной связи 4G, включая сети стандартаLTE (Long Term Evolution) и LTE-Advanced, применяемые в макросотах БППС становятся все компактнее, но при этом растет их информационная емкость и снижается энергопотребление. Ожидается, что новые высокоэффективные GaN-HEMT-транзисторы от Mitsubishi Electric, предназначенные для работающих на частоте 2,6 ГГц БППС, будут способствовать дальнейшему уменьшению как габаритов этих устройств, так и их мощности.
Характеристики продукта:
Последний вышедший номер
Читайте в номере:
Адрес редакции: 117997, Москва, Профсоюзная ул., д. 65, оф. 360
Телефон: (926) 212-60-97.
E-mail: info@avtprom.ru или avtprom@ipu.ru
© ООО Издательский дом "ИнфоАвтоматизация", 2003-2024 гг.