Mitsubishi Electric начнет пробный выпуск GaN-HEMT-транзисторов с выходной мощностью 220 Вт для базовых приёмопередающих станций

06.09.2016 19:49

Корпорация Mitsubishi Electric объявила о создании нитрид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов (GaN-HEMT) и выходной мощностью 220 Вт, который сможет обеспечить самый высокий в мире КПД базовых приемопередающих станций (БППС), применяемых в системах мобильной связи четвертого поколения (4G) и работающих на частоте 2,6 ГГц. Пробный выпуск транзисторов начнется с 1 ноября 2016 года.

В высокоскоростных системах мобильной связи 4G, включая сети стандартаLTE (Long Term Evolution) и LTE-Advanced, применяемые в макросотах БППС становятся все компактнее, но при этом растет их информационная емкость и снижается энергопотребление. Ожидается, что новые высокоэффективные GaN-HEMT-транзисторы от Mitsubishi Electric, предназначенные для работающих на частоте 2,6 ГГц БППС, будут способствовать дальнейшему уменьшению как габаритов этих устройств, так и их мощности.

Характеристики продукта:

Высочайшая эффективность транзистора и его оптимизация. Высокий КПД стока - 74% - достигается благодаря применению более простой системы охлаждения, позволяющей уменьшить размеры БППС и ее энергопотребление.

Более компактные размеры. Бесфланцевый керамический корпус уменьшает размер самого устройства и связанных с ним усилителей мощности.

Расширенный модельный ряд GaN-HEMT-транзисторов. Для моделей мощностью 220 Вт, которые предназначены для работающих на частоте 2,6 ГГц БППС, добавлен вариант исполнения в бесфланцевом керамическом корпусе.

MitsubishiElectric.com и MitsubishiElectric.ru

Продукты

Последний вышедший номер

Читайте в номере:

Новый подход к подготовке операторов высокоопасных технологических процессов: концептуальные модели, примеры предтренажерного обучения, цифровая реализация

Автоматизированная система дистанционного выявления утечек из резервуаров

Особенности разработки пользовательского интерфейса для системы управления принтером наноплазмонных структур

Инновационная конструкция рассекателя потока кориолисового расходомера и её влияние на рабочий диапазон и точность измерений

Адрес редакции: 117997, Москва, Профсоюзная ул., д. 65, оф. 360
Телефон: (926) 212-60-97.
E-mail: info@avtprom.ru или avtprom@ipu.ru