Множество проблем заключается не в недостатке знаний, а в недостатке действий.

Марк Хетфилд

 

Связь с редакцией
Рассылка новостей

Флэш-память – становление, развитие и перспективы

Васильев Н.П., Макаров В.В., Шурыгин В.А.

Рассматривается история возникновения, современное состояние, а также перспективами развития флэш-памяти. Показаны, физические процессы, лежащие в основе работы флэш-памяти, разновидности ее архитектуры,  приведена современная элементная база флэш-памяти.

Ключевые слова: FN-туннелирование, архитектуры NOR и NAND, инжекция горячих электронов, транзисторы с плавающим затвором, флэш-память

Адрес редакции: 117997, Москва, Профсоюзная ул., д. 65, оф. 360
Телефон: (926) 212-60-97.
E-mail: info@avtprom.ru или avtprom@ipu.ru

© ООО Издательский дом "ИнфоАвтоматизация", 2003-2024 гг.

РассылкиSubscribe.Ru
Автоматизация в
промышленности