Mitsubishi Electric начнёт пробный выпуск GaN-HEMT-транзисторов с выходной мощностью 220 Вт для базовых приёмопередающих станций

Корпорация Mitsubishi Electric объявила о создании нитрид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов (GaN-HEMT) и выходной мощностью 220 Вт, который сможет обеспечить самый высокий в мире КПД базовых приемопередающих станций (БППС), применяемых в системах мобильной связи четвертого поколения (4G) и работающих на частоте 2,6 ГГц. Пробный выпуск транзисторов начнется с 1 ноября 2016 года.

В высокоскоростных системах мобильной связи 4G, включая сети стандартаLTE (Long Term Evolution) и LTE-Advanced, применяемые в макросотах БППС становятся все компактнее, но при этом растет их информационная емкость и снижается энергопотребление. Ожидается, что новые высокоэффективные GaN-HEMT-транзисторы от Mitsubishi Electric, предназначенные для работающих на частоте 2,6 ГГц БППС, будут способствовать дальнейшему уменьшению как габаритов этих устройств, так и их мощности.

Характеристики продукта:

В дальнейшем модельный ряд будет дополнен транзисторами, предназначенными для других выходных мощностей и частот и адаптированными под системы мобильной связи следующих поколений.

Данный продукт удовлетворяет требованиям Директивы 2011/65/EU по ограничению использования опасных и вредных веществ в электрооборудовании и электронном оборудовании (RoHS).

MitsubishiElectric.com  и  MitsubishiElectric.ru