Рассматривается история возникновения, современное состояние, а также перспективами развития флэш-памяти. Показаны, физические процессы, лежащие в основе работы флэш-памяти, разновидности ее архитектуры, приведена современная элементная база флэш-памяти.

Ключевые слова: FN-туннелирование, архитектуры NOR и NAND, инжекция горячих электронов, транзисторы с плавающим затвором, флэш-память

Статья из Автоматизация в промышленности №3/2011

Последний вышедший номер

Читайте в номере:

Автоматизация контроля качества при производстве ультрафиолетовых радиометров

Метод локальной регуляризации для алгоритмов ассоциативного поиска

Искусственный интеллект в информационной безопасности

Преобразователь Холла на основе арсенида галлия для применения в СВЧ-диапазоне

Готовится к печати

Читайте в номере:

Архитектурная трансформация системы технического обслуживания оборудования на промышленном производстве

Современный электронный журнал диспетчера как эффективное средство управления промышленным предприятием

Обеспечение надежности воздушных линий электропередачи при плавке гололеда мобильными установками

Глобальные процессы, меняющие ландшафт киберугроз в 2025 г.

Адрес редакции: 117997, Москва, Профсоюзная ул., д. 65, оф. 360
Телефон: (926) 212-60-97.
E-mail: info@avtprom.ru или avtprom@ipu.ru