Рассматривается история возникновения, современное состояние, а также перспективами развития флэш-памяти. Показаны, физические процессы, лежащие в основе работы флэш-памяти, разновидности ее архитектуры, приведена современная элементная база флэш-памяти.

Ключевые слова: FN-туннелирование, архитектуры NOR и NAND, инжекция горячих электронов, транзисторы с плавающим затвором, флэш-память

Статья из Автоматизация в промышленности №3/2011

Последний вышедший номер

Читайте в номере:

Структуры данных информационных моделей систем диспетчеризации технологических процессов в условиях цифровизации

Параметрируемая многомассовая модель грузового автомобиля

Системы технологического моделирования: исторические примеры и отечественные реалии

Метод анализа соответствия для повышения эффективности бизнес-процессов

Адрес редакции: 117997, Москва, Профсоюзная ул., д. 65, оф. 360
Телефон: (926) 212-60-97.
E-mail: info@avtprom.ru или avtprom@ipu.ru