Флэш-память – становление, развитие и перспективы

Васильев Н.П., Макаров В.В., Шурыгин В.А.

Рассматривается история возникновения, современное состояние, а также перспективами развития флэш-памяти. Показаны, физические процессы, лежащие в основе работы флэш-памяти, разновидности ее архитектуры, приведена современная элементная база флэш-памяти.

Ключевые слова: FN-туннелирование, архитектуры NOR и NAND, инжекция горячих электронов, транзисторы с плавающим затвором, флэш-память

Последний вышедший номер

Читайте в номере:

Построение модели производственных данных по ГОСТ Р МЭК 62264 и проектирование интеграционного взаимодействия

Разработка облика универсального стенда с моделью динамики и рычагами управления летательного аппарата

Алгоритмическое обеспечение предварительной обработки изображений в условиях обнаружения и классификации дефектов процесса 3D-печати методом FDM на основе технического зрения

Методика многокритериальной оптимизации портфеля проектов больших сложных систем

Адрес редакции: 117997, Москва, Профсоюзная ул., д. 65, оф. 360
Телефон: (926) 212-60-97.
E-mail: info@avtprom.ru или avtprom@ipu.ru