«Никакую проблему нельзя решить на том же уровне, на котором она возникла»
Корпорация Mitsubishi Electric начинает производство карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки
15.03.2017 18:37
Корпорация Mitsubishi Electric объявила о запуске производства карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC-SBD) со встроенной структурой барьера на переходе Шоттки (JBS). Диоды позволяют снизить потребление энергии и уменьшить физические размеры систем электропитания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и т. д.
Особенности:
улучшенные динамические характеристики диодов приводят к сокращению потерь мощности примерно на 21 % по сравнению с изделиями на основе кремния (Si).
обеспечивается высокоскоростная коммутация и уменьшение размеров периферийных компонентов, таких как дроссели.
объединяет барьер Шоттки с p-n-переходом.
структура JBS помогает достичь высокой надежности.
Начиная с 2010 года, когда в продажу был впервые выпущен силовой модуль с SiC-кристаллами, корпорация Mitsubishi Electric продолжает работать над уменьшением размеров инверторов и снижением потребления энергии. В связи с растущим спросом на энергоэффективные системы электропитания потребители все чаще выбирают изделия с SiC-SBD.
Продукция отвечает требованиям директивы 2011/65/EU, ограничивающей содержание вредных веществ (RoHS) в электрических и электронных компонентах. Разработка изделия проходила с частичной поддержкой японской Организации по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO).
Последний вышедший номер
Читайте в номере:
Готовится к печати
Адрес редакции: 117997, Москва, Профсоюзная ул., д. 65, оф. 360
Телефон: (926) 212-60-97.
E-mail: info@avtprom.ru или avtprom@ipu.ru
© ООО Издательский дом "ИнфоАвтоматизация", 2003-2024 гг.