Toshiba разрабатывает модули IEGT на 4,5 кВ в плоском корпусе повышенной прочности на разрыв

Компания Toshiba Electronics Europe представила подробную информацию о новом корпусе для устройств IEGT класса 4,5 кВ в плоском корпусе (PPI) на конференции PCIM 2018 в Нюрнберге. Новый корпус разработан в целях дальнейшего повышения прочности устройств на разрыв, тем самым снижая вероятность повреждения окружающих компонентов и систем в случае отказа устройства.

Создание корпуса явилось результатом исследований, проведенных для оценки оптимального объемного соотношения материалов в таких корпусах. Путем экспериментов было определено оптимальное соотношение, при котором не происходит ни разрушение керамических элементов, ни утечка материалов.

По результатам тщательных измерений было показано, что корпус может выдерживать 50 часов в режиме отказа вследствие короткого замыкания (SFCM). Эксперимент проводился с одним короткозамкнутым кристаллом IEGT из 42, расположенным на краю модуля (наиболее неблагоприятная ситуация).

Кроме того, испытания прочности на разрыв, проведенные в тестовых условиях при 3200 В, показали в 1,7 раза большую прочность по сравнению со стандартными PPI-устройствами.

www.toshiba.semicon-storage.com